IMEC:半導(dǎo)體10年內(nèi)將會(huì)進(jìn)入埃米時(shí)代
據(jù)外媒,近日舉辦的線上ITF大會(huì)上,半導(dǎo)體行業(yè)大腦比利時(shí)微電子研究中心(IMEC)公布了未來十年的技術(shù)藍(lán)圖。據(jù)悉,2025年后,晶體管微縮化進(jìn)入埃米尺度(10埃米=1nm),2025年A14、2027年為A10、2029年為A7。
微觀晶體管結(jié)構(gòu)層面,根據(jù)技術(shù)藍(lán)圖,A14節(jié)點(diǎn)使用Forksheet結(jié)構(gòu)(p型和n型納米片晶體管成對(duì)排列,A10節(jié)點(diǎn)采用CEFT結(jié)構(gòu),1納米以下采用原子形狀的溝道,依賴Mo(鉬)、W(鎢)、X(硫)、Se(硒—)、Te(碲)等2D材料和High NA(高數(shù)值孔徑)EUV光刻機(jī)來實(shí)現(xiàn)。
據(jù)悉,High NA EUV光刻機(jī)的一號(hào)原型機(jī)(EXE:5000)將在2023年由ASML提供給IMEC的聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室,2026年量產(chǎn),從而服務(wù)1nm及更先進(jìn)的節(jié)點(diǎn)。
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